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Si2335DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
15
12
V GS = 4.5 V thru 2.5 V
12
T C = - 55 °C
25 °C
9
6
3
0
2V
1.5 V
1 V, 0.5 V
9
6
3
0
125 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.25
1500
0.20
0.15
0.10
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
1000
C iss
0.05
500
C oss
0.00
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 6 V
I D = 4.0 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 4.0 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0.6
0
5
10
15
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71314
S09-0130-Rev. B, 02-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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